Detalhes do produto:
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Nome do produto: | Sic carcaça, sic bolacha de semicondutor | Nome completo: | Carboneto de silicone Crystal Substrate |
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fórmula química: | Sic | Categoria 1: | Categoria da produção |
Categoria 2: | Categoria da pesquisa | Categoria 3: | Categoria do manequim |
Contaminação: | Nenhum | Tamanho: | 10 milímetros x 10 milímetros (+/- 1mm) |
Realçar: | Bolacha de semicondutor 10 milímetro x 10 milímetros,Sic bolacha 10 milímetro x 10 milímetros,Sic bolacha de semicondutor |
Bolacha de semicondutor térmica excelente da carcaça das propriedades mecânicas sic sic
As bolachas do carboneto de silicone (sic) são cada vez mais os dispositivos de semicondutor encontrados que foram dominados uma vez pelo silicone. Os pesquisadores encontraram que sic os dispositivos que de semicondutor as vantagens sobre bolachas de silicone basearam dispositivos incluem:
Propriedades:
Artigo | 2 N-tipo da polegada 4H | ||
Diâmetro | 2inch (50.8mm) | ||
Espessura | 350+/-25um | ||
Orientação | fora da linha central 4.0˚ para <1120> o ± 0.5˚ | ||
Orientação lisa preliminar | <1-100> ± 5° | ||
Plano secundário Orientação |
90.0˚ CW do ± liso preliminar 5.0˚, si de face para cima | ||
Comprimento liso preliminar | 16 ± 2,0 | ||
Comprimento liso secundário | 8 ± 2,0 | ||
Categoria | Categoria da produção (P) | Categoria da pesquisa (R) | Categoria do manequim (d) |
Resistividade | 0.015~0.028 Ω·cm | < 0=""> | < 0=""> |
Densidade de Micropipe | ² do ≤ 1 micropipes/cm | ² do ≤ 1 0micropipes/cm | ² do ≤ 30 micropipes/cm |
Aspereza de superfície | Ra do CMP da cara do si <0> | Área N/A, útil > 75% | |
TTV | < 8="" um=""> | < 10um=""> | < 15="" um=""> |
Curva | <> | <> | <> |
Urdidura | < 15="" um=""> | < 20="" um=""> | < 25="" um=""> |
Quebras | Nenhum | ≤ cumulativo do comprimento 3 milímetros na borda |
Comprimento cumulativo ≤10mm, único ≤ 2mm do comprimento |
Riscos | riscos do ≤ 3, cumulativos comprimento < 1=""> | riscos do ≤ 5, cumulativos comprimento < 2=""> | riscos do ≤ 10, cumulativos comprimento < 5=""> |
Encantar placas | placas do máximo 6, <100um> | placas do máximo 12, <300um> | Área N/A, útil > 75% |
Áreas de Polytype | Nenhum | ≤ cumulativo 5% da área | ≤ cumulativo 10% da área |
Contaminação | Nenhum |
Vantagem:
lisura 1.High
harmonização de estrutura 2.High (MCT)
densidade de deslocação 3.Low
transmitância 4.High infravermelho
Tiros do produto:
FAQ:
1.Q: É você um fabricante da fábrica?
: Sim, nós somos fabricante com 13 anos de experiência na indústria de cristal do scintillator e fornecemos muitos tipos famosos com a boa qualidade e o serviço.
2.Q: Onde está seu mercado principal?
: Europa, América, Ásia.
Pessoa de Contato: Ivan. wang
Telefone: 18964119345