Cristal:CdZnTe CZT
Tipo da condutibilidade:Tipo de P
Orientação:(211), (111)
Escolha lubrificada:Nenhuns, si, Cr, Fe, Zn
Tamanhos (milímetros):10x10mm
Aspereza de superfície:Aspereza de superfície (Ra): <= 5A
Método do crescimento:Método de Czochralski
Estrutura de cristal:M3
Constante de pilha da unidade:a=5.65754 Å
Artigo:2 N-tipo da polegada 4H
diâmetro:2inch (50.8mm)
Espessura:350+/-25um
Nome do produto:Sic carcaça, sic bolacha de semicondutor
Nome completo:Carboneto de silicone Crystal Substrate
fórmula química:Sic
Estrutura:R3m, Romboédrico
estrutura:a0 ~ 4,024Å
Ponto de fusão (℃):1280
Nome do produto:Carcaça do GaAs
Material:Cristal do arsenieto de gálio
Garantia:um ano
Nome do produto:Bolacha de semicondutor de CdTe
Nome completo:Telluride de cádmio
fórmula química:CdTe
Nome do produto:Bolacha de semicondutor do Ge
fórmula química:GE
Tamanho:10x3,10x5,10x10,15x15, 20x15,20x20, dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 milímetros
Nome do produto:Substrato de cristal único PMN-PT
fórmula química:Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3
Orientações de cristal:(001), (110), (111)
Nome do produto:Ponta de prova de CZT
Material:CdZnTe
Densidade:5,8 g/cm3
Nome do produto:Ponta de prova de CZT
Material:CdZnTe
Densidade:5,8 g/cm3
