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Al2O3 carcaça Sapphire Crystal Wafer Superconducting Film Substrate

Certificado
China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. Certificações
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Al2O3 carcaça Sapphire Crystal Wafer Superconducting Film Substrate

Al2O3 carcaça Sapphire Crystal Wafer Superconducting Film Substrate
Al2O3 carcaça Sapphire Crystal Wafer Superconducting Film Substrate

Imagem Grande :  Al2O3 carcaça Sapphire Crystal Wafer Superconducting Film Substrate

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Kinheng
Certificação: ISO
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1pc
Preço: Negotiable
Detalhes da embalagem: caixa da espuma
Tempo de entrega: 4-6 semanas
Termos de pagamento: T/T, Paypal
Habilidade da fonte: 10000pcs/year

Al2O3 carcaça Sapphire Crystal Wafer Superconducting Film Substrate

descrição
Crystal Purity: > 99,99% Ponto do derretimento (℃): 2040
Densidade (g/cm3): 3,98 Dureza (Mho): 9
Expansão térmica: 7,5 (x10-6/OC) Calor específico: 0,10 (cal/OC)
Nome do produto: Única carcaça de cristal da safira, bolacha da safira, bolacha Al2O3 Estrutura de cristal: Sistema sextavado
Realçar:

3.98g/cm3 Sapphire Crystal Wafer

,

Carcaça Al2O3 sextavada

,

9Mho Sapphire Crystal Wafer

Bolacha Superconducting de Sapphire Crystal da carcaça da carcaça Al2O3 do filme

 

O único cristal da safira (Al2O3) é igualmente um tipo de único material de cristal amplamente utilizado da carcaça. É a primeira carcaça bem escolhida indústria no diodo luminescente atual (diodo emissor de luz) e no laser azuis, violetas, brancos do azul (LD) (o filme do nitreto do gálio precisa de ser epitaxial na carcaça da safira primeiramente), e é igualmente uma carcaça superconducting importante do filme. Além do que o Y-sistema, sistema do La e outros filmes superconducting de alta temperatura, pode igualmente ser usado para crescer (diboride do magnésio) os filmes MgB2 superconducting práticos novos (a carcaça do único-cristal será corroída geralmente quimicamente durante a fabricação dos filmes MgB2).

 

Propriedades:

 

 
Crystal Purity > 99,99%
Ponto do derretimento (℃) 2040
Densidade (g/cm3) 3,98
Dureza (Mho) 9
Expansão térmica 7,5 (x10-6/OC)
Calor específico 0,10 (cal/OC)
Condutibilidade térmica 46,06 @ 0 OC 25,12 @ 100 OC, 12,56 @ 400 OC (com (m.K))
Constante dielétrica ~ 9,4 @300K em uma linha central ~ 11.58@ 300K na linha central de C
Tangente da perda em 10 gigahertz < 2x10="">-5 em uma linha central, <5 x10="">-5 na linha central de C

 

 

Vantagem:

condução 1.Heat
dureza 2.High
transmissão 3.Infrared
estabilidade 4.Good química

 

Tiros do produto:

 

Al2O3 carcaça Sapphire Crystal Wafer Superconducting Film Substrate 0

 

FAQ:

1.Q: É você um fabricante da fábrica?

: Sim, nós somos fabricante com 13 anos de experiência na indústria de cristal do scintillator e fornecemos muitos tipos famosos com a boa qualidade e o serviço.

 

2.Q: Onde está seu mercado principal?

: Europa, América, Ásia.

 

Contacto
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Ivan. wang

Telefone: 18964119345

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