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Hemisfério rápido do detector de semicondutor de CdZnTe da resposta da definição de alta energia

Certificado
China Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. Certificações
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Hemisfério rápido do detector de semicondutor de CdZnTe da resposta da definição de alta energia

Hemisfério rápido do detector de semicondutor de CdZnTe da resposta da definição de alta energia
Hemisfério rápido do detector de semicondutor de CdZnTe da resposta da definição de alta energia

Imagem Grande :  Hemisfério rápido do detector de semicondutor de CdZnTe da resposta da definição de alta energia

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Kinheng
Certificação: ISO
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1pc
Preço: Negotiable
Detalhes da embalagem: caixa da espuma
Tempo de entrega: 4-6 semanas
Termos de pagamento: T/T, Paypal
Habilidade da fonte: 10000pcs/year

Hemisfério rápido do detector de semicondutor de CdZnTe da resposta da definição de alta energia

descrição
Nome do produto: Detector de semicondutor Material: CdZnTe
Densidade: 5,8 g/cm3 Dimensão: 10,0 (±0.1) ×10.0 (±0.1) mm2
Espessura: 5,0 (±0.05) milímetros Tensão de funcionamento: ≤900V
Material do elétrodo: Au Resolução de Energia (22 ℃): <2% @662KeV
Escala da energia: 10keV~2.6MeV
Realçar:

Detector de semicondutor de CdZnTe

,

detector da radiação do telluride do zinco do cádmio

,

Detector de semicondutor da definição de alta energia

Detector de semicondutor rápido de CdZnTe da resposta da definição de alta energia (hemisfério)

 

O detector da série DT-H01 é um detector especial da estrutura desenvolvido com base no cristal do telluride do zinco do cádmio (CZT). Tem o raio X e as funções de detecção meio-altas do raio gama da energia, têm extremamente a definição de alta energia, e usado em instrumentos nucleares tais como instrumentos da identificação do nuclide e medidores de taxa de dose, exploração do espaço e outros campos.


Propriedades:

 

Material CdZnTe
Densidade 5.8g/cm3
Resistividade de volume >1010 Ω·cm
Dimensão 10,0 (±0.1) ×10.0 (±0.1) milímetro2
Espessura 5,0 (±0.05) milímetros
Tensão de funcionamento ≤900V
Material do elétrodo Au
Temperatura de funcionamento 0℃~40℃) (do padrão/-20℃~+40℃ (personalizado)
Escala da energia 10keV~2.6MeV
Definição de energia (22℃) <2>
Temperatura do armazenamento (transporte) 10℃~40℃
Umidade do armazenamento (transporte) 20%~80% (não-condensação)
Observações Específico está disponível

 

 

Vantagem:

Funcionamento da temperatura ambiente

Definição de alta energia

Resposta rápida

Estabilidade velho

 

Aplicações:
Segurança interna

Detecção da radiação do espaço

Ciência e tecnologia nucleares

Monitoração do ambiente

NDT industrial

 

Espectro:

Hemisfério rápido do detector de semicondutor de CdZnTe da resposta da definição de alta energia 0Hemisfério rápido do detector de semicondutor de CdZnTe da resposta da definição de alta energia 1

 

 

Tiros do produto:

Hemisfério rápido do detector de semicondutor de CdZnTe da resposta da definição de alta energia 2

 

FAQ:

1.Q: É você um fabricante da fábrica?

: Sim, nós somos fabricante com 13 anos de experiência na indústria de cristal do scintillator e fornecemos muitos tipos famosos com a boa qualidade e o serviço.

 

2.Q: Onde está seu mercado principal?

: Europa, América, Ásia.

 

 

 

Contacto
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Ivan. wang

Telefone: 18964119345

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