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Detalhes do produto:
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| Artigo: | 2 N-tipo da polegada 4H | diâmetro: | 2inch (50.8mm) |
|---|---|---|---|
| Espessura: | 350+/-25um | Orientação: | fora da linha central 4.0˚ para o ± 0.5˚ de <1120> |
| Orientação lisa preliminar: | <1-100> ± 5° | Orientação lisa secundária: | 90.0˚ CW do ± liso preliminar 5.0˚, si de face para cima |
| Comprimento liso preliminar: | 16 ± 2,0 | Comprimento liso secundário: | 8 ± 2,0 |
| Realçar: | bolacha do carboneto de silicone de 2 polegadas,carcaça de 2 polegadas sic,bolacha do carboneto de silicone de 50.8mm |
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Bolacha de semicondutor térmica excelente da carcaça das propriedades mecânicas sic sic
O carboneto de silicone (sic) é um composto binário do grupo IV-IV, ele é o único composto contínuo estável no grupo IV da tabela periódica, ele é um semicondutor importante. Tem sic as propriedades térmicas, mecânicas, químicas e elétricas excelentes, que o fazem para ser esse dos melhores materiais para fazer dispositivos eletrónicos de alta temperatura, de alta frequência, e de alta potência, sic igualmente pode ser usado como um material da carcaça para diodos luminescentes azuis GaN-baseados. Presentemente, 4H-SiC é os produtos do grosso da população no mercado, e o tipo da condutibilidade é dividido no tipo deisolamento e no tipo de N.
Propriedades:
| Artigo | 2 N-tipo da polegada 4H | ||
| Diâmetro | 2inch (50.8mm) | ||
| Espessura | 350+/-25um | ||
| Orientação | fora da linha central 4.0˚ para <1120> o ± 0.5˚ | ||
| Orientação lisa preliminar | <1-100> ± 5° | ||
| Plano secundário Orientação |
90.0˚ CW do ± liso preliminar 5.0˚, si de face para cima | ||
| Comprimento liso preliminar | 16 ± 2,0 | ||
| Comprimento liso secundário | 8 ± 2,0 | ||
| Categoria | Categoria da produção (P) | Categoria da pesquisa (R) | Categoria do manequim (d) |
| Resistividade | 0.015~0.028 Ω·cm | < 0=""> | < 0=""> |
| Densidade de Micropipe | ² do ≤ 1 micropipes/cm | ² do ≤ 1 0micropipes/cm | ² do ≤ 30 micropipes/cm |
| Aspereza de superfície | Ra do CMP da cara do si <0> | Área N/A, útil > 75% | |
| TTV | < 8="" um=""> | < 10um=""> | < 15="" um=""> |
| Curva | <> | <> | <> |
| Urdidura | < 15="" um=""> | < 20="" um=""> | < 25="" um=""> |
| Quebras | Nenhum | ≤ cumulativo do comprimento 3 milímetros na borda |
Comprimento cumulativo ≤10mm, único ≤ 2mm do comprimento |
| Riscos | riscos do ≤ 3, cumulativos comprimento < 1=""> | riscos do ≤ 5, cumulativos comprimento < 2=""> | riscos do ≤ 10, cumulativos comprimento < 5=""> |
| Encantar placas | placas do máximo 6, <100um> | placas do máximo 12, <300um> | Área N/A, útil > 75% |
| Áreas de Polytype | Nenhum | ≤ cumulativo 5% da área | ≤ cumulativo 10% da área |
| Contaminação | Nenhum | ||
Vantagem:
lisura 1.High
harmonização de estrutura 2.High (MCT)
densidade de deslocação 3.Low
transmitância 4.High infravermelho
Tiros do produto:
FAQ:
1.Q: É você um fabricante da fábrica?
: Sim, nós somos fabricante com 13 anos de experiência na indústria de cristal do scintillator e fornecemos muitos tipos famosos com a boa qualidade e o serviço.
2.Q: Onde está seu mercado principal?
: Europa, América, Ásia.
Pessoa de Contato: Ivan. wang
Telefone: 18964119345
